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等離子噴涂物理氣相沉積的最新進(jìn)展



2023-12-28 08:45:38 | 來源:上海新業(yè)美科新材料科技有限公司 | 閱讀:602
等離子噴涂物理氣相沉積的最新進(jìn)展


等離子噴涂物理氣相沉積的最新進(jìn)展


等離子噴涂物理氣相沉積(Plasma Spray Physical Vapor Deposition,PSPVD)是一種提高前輩的表面涂層技術(shù),可用于制造高效太陽能電池、光催化器件等。近年來,PSPVD技術(shù)取得了明顯的進(jìn)展。本文將先容PSPVD的基本原理、優(yōu)缺點以及最新研究進(jìn)展。


一、PSPVD的基本原理


PSPVD通過高溫等離子體將氣相物質(zhì)加熱至熔融狀態(tài),然后將其噴射到基底表面,形成一層固態(tài)涂層。該技術(shù)的樞紐是等離子體的產(chǎn)生,通常采用電弧或微波等方法。等離子體內(nèi)部含有大量的活性粒子,如電子、離子、自由基等,這些粒子與氣相物質(zhì)發(fā)生碰撞,使其加熱至熔融狀態(tài)。


二、PSPVD的優(yōu)缺點


PSPVD的長處主要包括


1)可在較低溫度下實現(xiàn)較高的沉積速率;

2)涂層與基底結(jié)協(xié)力強(qiáng);

3)可實現(xiàn)大面積、復(fù)雜外形器件的涂層制備。 



 然而,PSPVD也存在一些缺點:

1)設(shè)備本錢高,維護(hù)難題;

2)沉積溫度高,可能導(dǎo)致基底材料的熱損傷;

3)涂層內(nèi)部存在較多的孔洞和應(yīng)力,影響其機(jī)能。



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三、最新研究進(jìn)展


近年來,PSPVD技術(shù)取得了以下進(jìn)展: 設(shè)備改進(jìn):研究者們對PSPVD設(shè)備進(jìn)行了改進(jìn),降低了設(shè)備本錢,進(jìn)步了涂層質(zhì)量。例如,采用多噴嘴技術(shù),可實現(xiàn)多組分材料的同時噴涂,進(jìn)步了涂層成分的平均性。 低溫沉積:研究者們通過優(yōu)化工藝參數(shù),降低了沉積溫度,減少了基底材料的熱損傷。例如,采用脈沖等離子體技術(shù),可實現(xiàn)低溫度下的高速沉積。 涂層改性:通過引入摻雜元素或添加納米顆粒,對涂層進(jìn)行改性,進(jìn)步了其光催化機(jī)能。例如,在TiO2涂層中摻雜C元素,可明顯進(jìn)步其光催化活性。


四、結(jié)論


PSPVD作為一種提高前輩的表面涂層技術(shù),在太陽能電池、光催化器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用遠(yuǎn)景。近年來,PSPVD技術(shù)取得了明顯的進(jìn)展,但仍存在一些題目需要解決。未來,研究者們應(yīng)繼承優(yōu)化設(shè)備設(shè)計、改進(jìn)工藝參數(shù)、探索新型涂層材料,以推動PSPVD技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。


參考文獻(xiàn): Zhang, W.; Li, Y.; Wang, Z. Adv. Mater. 2019, 31, 1807568. Liu, X.; Zhu, Y.; Wang, H. J. Mater. Chem. A 2020, 8, 8908-8917. Kim, H.; Lee, S.; Park, J. J. Mater. Sci. Technol. 2021, 37, 50-58.


本文來源:http://www.moqawmh.com/news01.php?id=1641


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